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部品のパラメータ |
Qucs parametor name | Qucs description(※1) | Qucs default | spice description | spice default | Unit |
Type | タイプ | npn/pnp | タイプ | npn/pnp | - |
Is | 飽和電流 | 1e-16 | トランスポート飽和電流 | 1.0e-16 | A |
Nf | 順放射係数 | 1 | 順方向電流エミッション係数 | 1 | - |
Nr | 逆放射係数 | 1 | 逆方向電流エミッション係数 | 1 | - |
Ikf | 高電流順方向ベータ降下点 | 0 | 高電流順方向ベータ降下点 | ∞ | A |
Ikr | 高電流逆方向ベータ降下点 | 0 | 高電流逆方向ベータ降下点 | ∞ | A |
Vaf | 順初期電圧 | 0 | 順方向アーリー電圧 | ∞ | V |
Var | 逆初期電圧 | 0 | 逆方向アーリー電圧 | ∞ | V |
Ise | B-E 洩れ飽和電流 | 0 | B-E 漏洩飽和電流 | 0 | A |
Ne | B-E 洩れ放射係数 | 1.5 | B-E 漏洩エミッション係数 | 1.5 | - |
Isc | B-C 洩れ飽和電流 | 0 | B-C 漏洩飽和電流 | 0 | A |
Nc | B-C 洩れ放射係数 | 2 | B-C 漏洩エミッション係数 | 2 | - |
Bf | 順方向ベータ | 100 | 理想最大順方向ベータ | 100 | - |
Br | 逆方向ベータ | 1 | 理想最大逆方向ベータ | 1 | - |
Rbm | 高電流時の最小ベース抵抗 | 0 | 高電流時の最小ベース抵抗 | RB | Z |
Irb | ベース抵抗中点時の電流 | 0 | ベース抵抗が最小値との中間になる電流 | ∞ | A |
Rc | コレクタ抵抗 | 0 | コレクタ抵抗 | 0 | Z |
Re | エミッタ抵抗 | 0 | エミッタ抵抗 | 0 | Z |
Rb | ゼロバイアス ベース抵抗 | 0 | ゼロバイアスベース抵抗 | 0 | Z |
Cje | B-E ゼロバイアス空乏容量 | 0 | B-E ゼロバイアス空乏層容量 | 0 | F |
Vje | B-E 電位 | 0.75 | B-E 固有電位 | 0.75 | V |
Mje | B-E 接合指数係数 | 0.33 | B-E 接合指数係数 | 0.33 | - |
Cjc | B-C ゼロバイアス空乏容量 | 0 | B-C ゼロバイアス空乏層容量 | 0 | F |
Vjc | B-C 接合電位 | 0.75 | B-C 固有電位 | 0.75 | V |
Mjc | B-C 接合指数係数 | 0.33 | B-C 接合指数係数 | 0.33 | - |
Xcjc |
内部ベースノードにつながる B-C空乏容量の割合 |
1 |
内部ベースノードにつながる B-C空乏層容量の割合 |
1 | - |
Cjs | ゼロバイアス時のコレクタと基板の容量 | 0 | ゼロバイアスコレクタ-サブストレート容量 | 0 | F |
Vjs | 基板との接合電位 | 0.75 | サブストレート接合固有電位 | 0.75 | V |
Mjs | 基板との接合電位指数 | 0 | サブストレート接合指数係数 | 0 | - |
Fc | 順バイアス空乏容量係数 | 0.5 | 順バイアス空乏層容量式の係数 | 0.5 | - |
Tf | 理想的な順通過時間 | 0 | 理想順方向通過時間 | 0 | sec |
Xtf | Tfに依存するバイアスの係数 | 0 | TF のバイアス依存係数 | 0 | - |
Vtf | B-C 電圧に於けるTfの電圧依存 | 0 | TFのVBC依存を表わす電圧 | ∞ | V |
Itf | Tfに於ける大電流効果 | 0 | TFに与える高電流の影響パラメータ | 0 | A |
Tr | 理想逆通過時間 | 0 | 理想逆方向通過時間 | 0 | sec |
Temp | シミュレーション温度 | 26.85 | シミュレーション温度(※2) | - | ℃ |
Kf | フリッカーノイズ係数 | 0 | フリッカ雑音係数 | 0 | - |
Af | フリッカーノイズ指数 | 1 | フリッカ雑音指数 | 1 | - |
Ffe | フリッカーノイズ周波数指数(※3) | 1 | ? | ? | - |
Kb | バーストノイズ係数 | 0 | ? | ? | - |
Ab | バーストノイズ指数 | 0 | ? | ? | - |
Fb | バーストノイズのコーナー周波数 | 1.0 | ? | ? | Hz |
Ptf | 超過位相 | 0 |
周波数 = 1.0/(TF x 2π)Hzにおける 追加位相 |
0 | deg |
Xtb | 順方向、逆方向ベータ温度指数 | 0 | 順方向および逆方向ベータ温度指数 | 0 | - |
Xti | 飽和電流温度指数 | 3 | ISの温度効果の指数 | 3 | - |
Eg | バンド幅電圧 | 1.11 | ISの温度効果に使われるエネルギーギャップ | 1.11 | eV |
Tnom | パラメータが抽出された温度 | 26.85 | パラメータ測定温度 | 27 | ℃ |
Area | default area for bipolar transistor | 1 | ? | ? | - |
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